（原标题：Report: Samsung to increase investment in its chip factory in China by $8B to boost production of NAND flash memory chips）
网易科技讯 12月13日音讯，据外媒报导，三星电子公司拟将在我国芯片工厂的出资增加到80亿美元，以进步NAND闪存芯片产值。
三星增加出资正值内存芯片价格有望于下一年反弹之际，因为供给有限，商场对5G设备和网络的需求也在不断上升。三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，这类芯片能够可用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中。
2017年，三星宣告将在三年内向坐落西安的NAND闪存芯片工厂出资70亿美元。在这些出资进行之前，该公司曾向西安的一家测验和包装工厂出资108亿美元。三星对此回绝置评。
三星在NAND闪存范畴的竞赛对手包含韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝，几家我国企业也正试图进入内存范畴，但它们至今没有获得太大成功，还不足以与这些巨子竞赛。
本年秋季，长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣告，将开端大规模出产64层3D NAND芯片，这是大都抢先职业企业遵从的基准。（小小）