跟着5G物联网年代的降临，存储器范畴开展越来越快，而在这一范畴，韩系厂商拥有着较为显着的优势。
近来，据报导，三星现已成功研制出有望代替嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机拜访内存（eMRAM），容量为1Gb，测验芯片的良率已达90%。
MRAM是一种以电阻为存储方法结合非易失性及随机拜访两种特性，能够兼做内存和硬盘的新式存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制造流程与工艺要求低，良品率高，能够很好的操控本钱。在寿数方面，因为MRAM特别的存储方法，产品的寿数耐久性也远超传统RAM。
报导称，三星也正在改进1Gb MRAM寿数问题，除了支撑10年的存储年限之外，在105℃也可完结1亿次读写，在85℃下则可添加至100亿次读写，在正常工作环境中，则有望到达1兆次读写。现在，以MRAM为代表的新式存储现已开展到了要害阶段，能否成为替代NAND闪存的下一代存储介质除了资料和工艺的不断完善之外，构建完善的器材技能生态系统也是非常要害的。信任在市场需求的引导以及各大厂商的推进下，存储产品必定朝着功能更高，容量更大以及本钱更优的方向开展。
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