1月2日音讯，据外媒报导，周四，三星电子事实上的领导者李在镕(Lee Jae-yong)开端大谈该公司使用世界上第一个3纳米工艺技能制作尖端芯片的战略方案。
李在镕观赏了该公司坐落京畿道华城的半导体研制中心。据三星公司称，这位三星承继人称，该公司方案选用正在开发的最新3纳米全栅极(gate-all-around，简称GAA)工艺技能来制作尖端芯片，并提供应全球客户。
GAA被认为是当时FinFET技能的升级版，该技能使芯片制作商可以进一步提高微芯片的制作工艺。
三星在上一年4月完成了根据极点紫外线技能的5纳米FinFET工艺技能的开发。现在，它正在研讨下一代纳米工艺技能。
该公司表明，与5纳米工艺比较，3纳米GAA技能的逻辑面积功率提高了35%以上，功耗降低了50%，功能提高了约30%。
李在镕拜访半导体研制中心，再次凸显了三星要生长为非内存范畴尖端芯片制作商的决计。三星讲话人称。
上一年，三星宣告了一项高达133万亿韩元(约合1118.5亿美元)的出资方案，方针是到2030年成为全球最大的芯片体系制作商。