北京时间1月2日晚间音讯，据韩国新闻媒体报导，三星电子事实上的领导人李在镕（Lee Jae-yong）今天评论了三星使用全球首个3纳米工艺制作芯片的战略方案。
该报导称，李在镕今天观赏了三星电子坐落京畿道华城（Hwaseong）的半导体研制中心。这也是李在镕在2020年的首个官方行程，期间，他听取三星电子3纳米制程技能陈述，并与半导体部分主管评论了新一代半导体战略。
据三星电子称，李在镕评论了三星方案选用正在研制中的最新3纳米全栅极（GAA）工艺技能来制作尖端芯片的方案。GAA被认为是当时FinFET技能的升级版，能保证芯片制作商进一步缩小芯片体积。
上一年4月，三星电子完成了根据极点紫外线技能（EUV）的5纳米FinFET工艺技能的研制。现在，该公司正在研讨下一代纳米工艺技能（即3纳米GAA）。三星电子表明，与5纳米制作工艺比较，3纳米GAA技能的逻辑面积功率提高了35%以上，功耗降低了50%，功能提高了约30%。
关于李在镕此次观赏半导体研制中心，三星讲话人称：“李在镕今天拜访半导体研制中心，再次凸显三星许诺生长为“非内存芯片”商场尖端制作商的决计。”当时，三星已是全球最大的内存芯片制作商。
上一年，三星宣告了一项高达133万亿韩元（约合1118.5亿美元）的出资方案，方针是到2030年成为全球最大的“体系级芯片”（ SoC）制作商。(李明)
编 辑：值勤记者